FQN1N60CBU参数：MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：QFET™包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：300mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.5 欧姆 @ 150mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：170pF @ 25V功率 - 最大值：1W安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商器件封装：TO-92-3
