FQNL1N50BTA参数：MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：QFET™包装：带盒（TB）FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：270mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 欧姆 @ 135mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 25V功率 - 最大值：1.5W安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3 长体供应商器件封装：TO-92L
