FQP19N10L参数：MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：QFET™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：19A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 9.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：870pF @ 25V功率 - 最大值：75W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
