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FQP19N20

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相关型号： FQP19N10L FQP19N10 FQP18N50V2 FQP18N20V2 FQP17P10 FQP17P06

FQP19N20
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FQP19N20参数：MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：19.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@9.7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@25V
功率-最大值：140W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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