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FQP4N20L

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相关型号： FQP4N20 FQP47P06_SW82049 FQP47P06_NW82049 FQP47P06 FQP46N15 FQP45N15V2

FQP4N20L
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FQP4N20L参数：MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.35 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

FQP4N20L

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