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FQP6N80C

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FQP6N80C
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FQP6N80C参数：MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5欧姆@2.75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1310pF@25V
功率-最大值：158W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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