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FQP7N80

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FQP7N80C 优势库存
FAIRCH
TO-220
2023+
3840
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FQP7N80 优势库存
FSC
TO-220
2023+
4446
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FQP7N80C 优势库存
Fairchild
TO-220
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3200
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FQP7N80C
onsemi
TO-220-3
2023+
1228
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FQP7N80
onsemi
TO-220-3
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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FQP7N80
FAIRCHILD
TO-220
2023+
136
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FQP7N80C
TO-220
2023+
2596
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FQP7N80C
FairchildSemic..
TO-220-3
2023+
1250
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FairchildSemic..
TO-220-3
2023+
1250
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FQP7N80
FairchildSemic..
TO-220-3()
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FQP7N80C
FairchildSemic..
TO-220-3()
2023+
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品质保证,价格优惠
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FQP7N80G
TO-220
2023+
870
工厂配单，价格优势
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FQP7N80
FSC
TO-220
2023+
26822
全新原装现货，价格优惠
FQP7N80
FAIRCHILD/HARR..
库房现货原装进口
2023+
5600
FQP7N80
FSC
TO-220
2023+
14999
原装现货，假一赔十
FQP7N80C
FSC
TO-220
2023+
9000
全新原装现货
相关型号： FQP7N65C FQP7N60 FQP7N40 FQP7N20L FQP7N20 FQP7N10L

FQP7N80
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FQP7N80参数：MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 3.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1850pF @ 25V
功率 - 最大值：167W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220

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