FQPF11P06参数：MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：50系列：QFET™包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：175毫欧@4.3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V功率-最大值：30W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220F
