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FQPF19N10

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FQPF19N10 优势库存
FAIRCHILD
TO-220F
2023+
13882
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FQPF19N10
onsemi
TO-220F-3
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TO-220-3 整包
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TO220
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FQPF19N10
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TO-220F
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2586
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FQPF19N10
FairchildSemic..
TO-220-3
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TO-220-3
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相关型号： FQPF18N50V2 FQPF18N20V2YDTU FQPF18N20V2 FQPF17P10 FQPF17P06 FQPF17N40T

FQPF19N10
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FQPF19N10参数：MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@6.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：780pF@25V
功率-最大值：38W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220F

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