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FQPF19N20

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相关型号： FQPF19N10L FQPF19N10 FQPF18N50V2 FQPF18N20V2YDTU FQPF18N20V2 FQPF17P10

FQPF19N20
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FQPF19N20参数：MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：50
系列：QFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@5.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@25V
功率-最大值：50W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220F

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