FQPF19N20参数：MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：50系列：QFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@5.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：40nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1600pF@25V功率-最大值：50W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220F
