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FQPF1N60

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相关型号： FQPF1N50 FQPF19N20T FQPF19N20CYDTU FQPF19N20C FQPF19N20 FQPF19N10L

FQPF1N60
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FQPF1N60参数：MOSFET N-CH 600V 900MA TO-220F

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：QFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：900mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11.5 欧姆 @ 450mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 25V
功率 - 最大值：21W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220F

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