FQPF4N20参数:MOSFET N-CH 200V 2.8A TO-220F
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1,000系列:QFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 1.4A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):220pF @ 25V功率 - 最大值:27W安装类型:通孔封装:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F