FQPF5P20参数:MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:50系列:QFET™包装:管件FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.4欧姆@1.7A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):430pF@25V功率-最大值:38W安装类型:通孔封装:TO-220-3整包供应商器件封装:TO-220F