FQPF65N06参数:MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:50系列:QFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):16毫欧@20A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2410pF@25V功率-最大值:56W安装类型:通孔封装:TO-220-3整包供应商器件封装:TO-220F