FQS4901TF参数:MOSFET N-CH DUAL 400V 0.45A 8SOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:3,000系列:QFET™包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:标准漏源极电压(Vdss):400V电流-连续漏极(Id)(25°C时):450mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):4.2欧姆@225mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):7.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):210pF@25V功率-最大值:2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOP