FQS4903TF参数：MOSFET N-CH DUAL 500V 0.37A 8SOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：3,000系列：QFET™包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：370mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.2欧姆@185mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.2nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@25V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
