FQT3P20TF参数:MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:4,000系列:QFET™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):670mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2.7欧姆@335mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):250pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:SOT-223-4