FQT4NQ10LT

FQT4N20LTF
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FQT4N20LTF参数：MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：4,000
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：850mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.35欧姆@425mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5.2nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：310pF@25V
功率-最大值：2.2W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223-4