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FQT7N10TF

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相关型号： FQT7N10LTF FQT5P10TF FQT4N25TF FQT4N20TF FQT4N20LTF FQT3P20TF_SB82100

FQT7N10TF
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FQT7N10TF参数：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：4,000
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：350毫欧@850mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.5nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：250pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223-3

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