FQU7P20TU参数:MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:5,040系列:QFET™包装:管件FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):690 毫欧 @ 2.85A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):770pF @ 25V功率 - 最大值:2.5W安装类型:通孔封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:I-Pak