FS35R12W1T4

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FS30AS-2-T13#B00参数：MOSFET N-CH 100V 30A MP-3A

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 10V
功率 - 最大值：35W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：MP-3A