FW349-TL-E参数：MOSFET N/P-CH 45V 5/4.5A 8-SOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： SOP8Package-N,N/P&Dual-NChannelTop标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：45V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A，4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：37毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18.1nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：860pF@20V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-SOP
