FW812-TL-E参数:MOSFET N-CH 35V 10A DUAL 8SOP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:1,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):35V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):960pF @ 20V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装:8-SOP