GS1M-TP参数:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
类别:分立半导体产品-单二极管/整流器产品培训模块: DiodeHandlingandMounting标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)二极管类型:标准电压-DC反向(Vr)(最大值):1000V(1kV)电流-平均整流(Io):1A不同If时的电压-正向(Vf):1.1V@1A速度:标准恢复>500ns,>200mA(Io)反向恢复时间(trr):-不同?Vr时的电流-反向漏电流:10µA@1000V不同?Vr、F时的电容:15pF@4V,1MHz安装类型:表面贴装封装:DO-214AC,SMA供应商器件封装:DO-214AC