GT10J321(Q)参数:IGBT 600V 10A TO220NIS
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:50系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,10A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10ACurrent - Collector Pulsed (Icm):20A功率 - 最大值:29WSwitching Energy:260µJ (开), 180µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:60ns/240nsTest Condition:300V, 10A, 68 欧姆反向恢复时间 (trr):100ns封装:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220NIS