GT10Q101(Q)

GT10Q101(Q)
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GT10Q101(Q)参数：IGBT 1200V 10A TO-3PN

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，10A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10A
Current - Collector Pulsed (Icm)：20A
功率 - 最大值：140W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：-
Td (on/off) A 25°C：300ns/500ns
Test Condition：600V, 10A, 75 欧姆
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P（N）