GT15Q102(Q)参数:IGBT 1200V 15A TO-3PN
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:50系列:-包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,15A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15ACurrent - Collector Pulsed (Icm):30A功率 - 最大值:170WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:120ns/560nsTest Condition:600V, 15A, 56 欧姆反向恢复时间 (trr):-封装:TO-3P-3,SC-65-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P(N)