GT10G131(TE12L,Q)参数:IGBT 400V 200A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):400V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 4V @ 200A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):-Current - Collector Pulsed (Icm):200A功率 - 最大值:1WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:-Td (on/off) A 25°C:3.1µs/2.0µsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)