H5N2522LSTL-E参数:MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):250V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V功率 - 最大值:75W安装类型:表面贴装封装:SC-83供应商器件封装:*