HAT2088R-EL-E参数:MOSFET N-CH 200V 2A 8SOP
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):450pF @ 25V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOP