HAT2160H参数：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7750pF @ 10V功率 - 最大值：30W安装类型：表面贴装封装：SC-100，SOT-669供应商器件封装：LFPAK
