HAT2173N-EL-E参数:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):15.3 毫欧 @ 12.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6V @ 20mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):61nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4350pF @ 10V功率 - 最大值:30W安装类型:表面贴装封装:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)供应商器件封装:8-LFPAK-iV