HAT2183WP参数：MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：150V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：64 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 25V功率 - 最大值：30W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-WPAK
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