HAT2197R-EL-E参数:MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.7 毫欧 @ 8A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2650pF @ 10V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOP