HCT802参数:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:1系列:-包装:散装FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):90V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A,1.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):70pF @ 25V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:6-SMD,无引线供应商器件封装:6-SMD