HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A
PDF资料下载

HGT1S12N60A4S9A参数：IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：800
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，12A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：54A
Current - Collector Pulsed (Icm)：96A
功率 - 最大值：167W
Switching Energy：55µJ (开), 50µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：78nC
Td (on/off) A 25°C：17ns/96ns
Test Condition：390V, 12A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263AB