HGT1S12N60C3DS

HGT1S12N60A4DS
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HGT1S12N60A4DS参数：IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.7V @ 15V，12A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：54A
Current - Collector Pulsed (Icm)：96A
功率 - 最大值：167W
Switching Energy：55µJ (开), 50µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：78nC
Td (on/off) A 25°C：17ns/96ns
Test Condition：390V, 12A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：18ns
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D²PAK