HGT1S20N35G3VLS参数：IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路PCNObsolescence： PDN#Q108016517/Jan/2008标准包装：50系列：-包装：管件IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：380V不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.8V@5V，20A电流-集电极(Ic)（最大值）：20ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：-功率-最大值：150WSwitchingEnergy：-输入类型：逻辑GateCharge：28.7nCTd(on/off)A25°C：-TestCondition：-反向恢复时间(trr)：-封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-263AB
HARRISTO2632023+3204原装现货，价格优势
