HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL
PDF资料下载

HGT1S20N36G3VL参数：IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：400
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：395V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.9V @ 5V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：37.7A
Current - Collector Pulsed (Icm)：-
功率 - 最大值：150W
Switching Energy：-
输入类型：逻辑
Gate Charge：28.7nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-262AA