HGT1S20N36G3VL参数：IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：400系列：-包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：395V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.9V @ 5V，20A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：37.7ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：-功率 - 最大值：150WSwitching Energy：-输入类型：逻辑Gate Charge：28.7nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA安装类型：通孔供应商器件封装：TO-262AA
FAIRCTO-263(D2PAK)2023+9150全新原厂原装现货
