HGT1S20N60B3S

HGT1S20N60A4S9A
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HGT1S20N60A4S9A参数：IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：800
系列：-
包装：管件
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.7V@15V，20A
电流-集电极(Ic)（最大值）：70A
Current-CollectorPulsed(Icm)：280A
功率-最大值：290W
SwitchingEnergy：105µJ(开),150µJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：182nC
Td(on/off)A25°C：15ns/73ns
TestCondition：390V,20A,3欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-263AB