HGT1S2N120BNDS

HGT1S2N120CN
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HGT1S2N120CN参数：IGBT NPT N-CH 1200V 13A I2PAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，2.6A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：13A
Current - Collector Pulsed (Icm)：20A
功率 - 最大值：104W
Switching Energy：96µJ (开), 530µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：30nC
Td (on/off) A 25°C：25ns/260ns
Test Condition：960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：I2PAK