HGTD3N60C3S

HGTD3N60C3S9A
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HGTD3N60C3S9A参数：IGBT UFS N-CH 600V 6A TO-252AA

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2V @ 15V，3A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A
Current - Collector Pulsed (Icm)：24A
功率 - 最大值：33W
Switching Energy：85µJ (开), 245µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：10.8nC
Td (on/off) A 25°C：5ns/325ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252AA