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HGTP1N120

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相关型号： HGTP12N60C3D HGTP12N60C3 HGTP12N60A4D HGTP12N60A4 HGTP10N120BN HGTG7N60A4D

HGTP10N120BN
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HGTP10N120BN参数：IGBT NPT N-CH 1200V 35A TO-220AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：400
系列：-
包装：管件
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.7V@15V，10A
电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
Current-CollectorPulsed(Icm)：80A
功率-最大值：298W
SwitchingEnergy：0.32mJ(开),0.80mJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：100nC
Td(on/off)A25°C：23ns/165ns
TestCondition：960V,10A,10欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB

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