HGTP2N120CN参数：IGBT NPT N-CH 1200V 13A TO-220AB
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：400系列：-包装：管件IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，2.6A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：13ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：20A功率 - 最大值：104WSwitching Energy：96µJ (开), 530µJ (关)输入类型：标准Gate Charge：30nCTd (on/off) A 25°C：25ns/260nsTest Condition：960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-220-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-220AB