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HGTP2N120CN

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相关型号： HGTP20N60A4 HGTP12N60C3D HGTP12N60C3 HGTP12N60A4D HGTP12N60A4 HGTP10N120BN

HGTP2N120CN
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HGTP2N120CN参数：IGBT NPT N-CH 1200V 13A TO-220AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：400
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.4V @ 15V，2.6A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：13A
Current - Collector Pulsed (Icm)：20A
功率 - 最大值：104W
Switching Energy：96µJ (开), 530µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：30nC
Td (on/off) A 25°C：25ns/260ns
Test Condition：960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB

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