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HIP6601BCBZ

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HIP6601BCBZ-T
Renesas Electr..
8-SOIC
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HIP6601BCBZ
Intersil
8-SOIC（3.9mm）
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6000
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8-SOIC（3.9mm）
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HIP6601BCBZ
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HIP6601BCBZ参数：IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC

类别：集成电路 (IC)-PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
标准包装：980
系列：-
包装：管件
配置：高端和低端，同步
输入类型：PWM
延迟时间：-
电流 - 峰值：400mA
配置数：1
输出数：2
高压侧电压 - 最大值（自举）：15V
电压 - 电源：10.8 V ~ 13.2 V
工作温度：0°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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