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HIP6601CB

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HIP6601CB 优势库存
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SOP
2023+
16356
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HIP6601CB-T 优势库存
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2023+
4439
原装现货，价格优势
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HIP6601CB-T
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3.9
2023+
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HIP6601CB
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2
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1048
全新进口原装现货,特价热卖
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HIP6601CBZ
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2023+
4578
全新进口原装现货,保证质量
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HIP6601CB
HARRIS
SOP
2023+
8
品质保证,价格优惠
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HIP6601CBT
HAR
2023+
215
全新进口原装现货,特价热卖
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HIP6601CB/ACB/BCB
HARRIS
SOP-8
2023+
6278
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HIP6601CB/ACB
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SO-8
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相关型号： HIP6601BECBZ-T HIP6601BECBZA-T HIP6601BECBZA HIP6601BECBZ HIP6601BECB-T HIP6601BECB

HIP6601BCB
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HIP6601BCB参数：IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC

类别：集成电路 (IC)-PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
标准包装：98
系列：-
包装：管件
配置：高端和低端，同步
输入类型：PWM
延迟时间：-
电流 - 峰值：400mA
配置数：1
输出数：2
高压侧电压 - 最大值（自举）：15V
电压 - 电源：10.8 V ~ 13.2 V
工作温度：0°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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