HSG1002VE-TL-E参数：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：NPN电压 - 集射极击穿（最大值）：3.5V频率 - 跃迁：38GHz噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz增益：8dB ~ 19.5dB功率 - 最大值：200mW不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA安装类型：表面贴装封装：4-SMD，鸥翼型供应商器件封装：4-MFPAK
